n  工作电压:2.4V~5.5V

n  工作温度:-40 ~ 85℃

n  封装:LQFP44

n  内核:超快速的 1T 8051

n  存储器:16KB Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）, 其中包含256B可IAP

         512B SRAM

n  系统时钟:内建 15MHz 振荡器

l  IC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为15/7.5/3.75/0.9375MHz

l  频率误差: 跨越 (4.5~5.5V) 及 (-20℃~85℃)应用环境，不超过 ±1%

n  低电压复位（LVR）:

l  复位电压有4级可选：分别是: 3.65V、3.50V、2.75V、2.60V

l  缺省值为用户烧写Code Option所选值

n  Flash烧写:     4线串口烧写接口

n  中断（INT）:

l  TIMER0、TIMER1、INT0~6、ADC、PWM、UART、TKS、X32K 共 14 个中断源

l  INT0/4/5/6仅为下降沿触发

l  INT1/2/3可设为上升沿、下降沿、双沿中断

l  两级中断优先级可设

n  数字外围:

l  16路Touch Key电路

l  41个GP I/O，4种模式可设，P1/2/4/5有大灌电流能力

l  16位WDT，可选时钟分频比

l  2个标准 80C51 16位定时器TIMER0 及 TIMER1

l  2路共用周期、单独可调占空比的 8位PWM，可分别切换输出至两个不同的IO口

l  1路自带波特率发生器的UART

l  1路源于内部或外部32K振荡的 Base Timer，用于定时唤醒功能以节省耗电

l  LCD功能，除P5外的所有IO可以输出1/2VDD、1/3VDD、2/3VDD电压，用作LCD的COM或SEG输出

n  模拟外围:

l  8路12位ADC

1)      内建基准的 2.4V 参考电压

2)      ADC的参考电压有2种选择，分别是 VDD和 内部2.4V

3)      AIN0内部可接到1/3VDD，配合内部2.4V参考电压用于测量VDD电压

4)      AIN1~AIN7 可由外部输入

n  省电模式:

l   STOP MODE， 可由 INT0~6、外部/内部32K振荡器、外部RSTN 唤醒 STOP MODE