n  工作电压:    2.4V~5.5V

n  工作温度:    -40 ~ 85℃

n  封装:           SOP28

n  内核:           超快速的 1T 8051

n  存储器:        16KB Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）, 其中包含256B可IAP

512B SRAM

n  系统时钟:    内建 15MHz 振荡器

l  IC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为15/7.5/3.75/0.9375MHz

l  频率误差: 跨越 (4.5~5.5V) 及 (-20℃~85℃)应用环境，不超过 ±1%

n  低电压复位（LVR）:

l  复位电压有4级可选：分别是: 3.65V、3.50V、2.75V、2.60V

l  缺省值为用户烧写Code Option所选值

n  Flash烧写:     4线串口烧写接口

n  中断（INT）:

l  TIMER0、TIMER1、INT0/3/5/6、ADC、PWM、UART、TKS、X32K 共 11 个中断源

l  INT0/5/6仅为下降沿触发

l  INT3可设为上升沿、下降沿、双沿中断

l  两级中断优先级可设

n  数字外围:

l  16路Touch Key电路

l  25个GP I/O，4种模式可设，P1/2/5有大灌电流能力

l  16位WDT，可选时钟分频比

l  2个标准 80C51 16位定时器TIMER0 及 TIMER1

l  2路共用周期、单独可调占空比的 8位PWM，PWM0可切换输出至两个不同的IO口

l  1路自带波特率发生器的UART

l  1路源于内部或外部32K振荡的 Base Timer，用于定时唤醒功能以节省耗电

l  LCD功能，除P5外的所有IO可以输出1/2VDD、1/3VDD、2/3VDD电压，用作LCD的COM或SEG输出

n  模拟外围:

l  8路12位ADC

1)      内建基准的 2.4V 参考电压

2)      ADC的参考电压有2种选择，分别是 VDD和 内部2.4V

3)      AIN0内部可接到1/3VDD，配合内部2.4V参考电压用于测量VDD电压

4)      AIN1~AIN7 可由外部输入

n  省电模式:

l   STOP MODE，可由 INT0/3/5/6、外部/内部32K振荡器、外部RSTN 唤醒