概要
CS 8563S
内置了低功耗待机电路和过热保护电路，同时
内置了杂音消除电路，可以消除芯片启动和关断过程中
的咔嗒声或噼噗声。
提供了S O P 16L的封装形式，额定的工作温度
范围为-40℃ 至8 5℃ 。
 每通道输出功率
PO at 10% THD+N, VDD = 6V
RL = 8 Ω 2.30W (每通道)
RL = 4 Ω 4.50W (每通道)
PO at 10% THD+N, VDD =5.0V
RL = 8 Ω 1.60W (每通道)
RL = 4 Ω 3.20W (每通道)
PO at 10% THD+N, VDD =3.6V
RL = 8 Ω 0.90W (每通道)
RL = 4 Ω 1.70W (每通道)
 工作电压范围：2.7V到6.5V
 “咔嗒声和噼噗声”抑制电路
 S E 模式 ,RL=32Ω,输出平均功率75m W ,T H D (m ax)< 0.1%
 低关断电流 (＜0.1μA )
 过流保护，短路保护和热保护
 符合Rohs的无铅封装
应用:
 LCD-TV
 笔记本电脑
 数码相框
 U S B 接口的扬声器
描述
pa g e 1
Mar ,2013 R ev.1.0
封装
 S O P 16L
CS8563S 是一款双桥音频功率放大器芯片，采用6.0V 电
源供电；在T H D + N 等于10％情况下，能为一个4Ω 的负
载提供4.5W 的连续功率。此外，当接立体耳机时，芯片
可以单端工作模式驱动立体耳机。
典型应用线图
超低E M I，4.5W ×2，双通道带立体声耳机模式D类音频放大器
图１ CS8563S 应用线路图
频功率的系统设计的，它采用表面贴装技术，只需少量
的外围器件， 便使系统具备高质量的音频输出功率。
采用双通道设计使芯片具有了桥式联接扬声器
放大和单终端立体耳机放大两种工作模式，简化了音频
系统的外围电路设计。
双通道音频功率放大器是为需要输出高质量音
N C
9
N C
8
C S 8563S
10uf 1uf
V D D
13
6 IN A
11 IN B
10nF
C b= 2.2uF
300K
30K
30K
S
S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
S
S
管脚排列以及描述(图2)
pa g e 2
Mar ,2013 R ev.1.0
SO P 16L
( Top View )
S H U TD O W N
G N D
O U TA +
V D D
O U TA - O U TB -
IN A
G N D
N C
H P -IN
G N D
O U TB +
V D D
IN B
B Y P A S S
N C
CS8563S
S H U TD O W N 关断端口,高电平关断
2,7,15 G N D 　接地端
3 O U TA + 正向输出端A
4,13 　 电源端
5 O U TA - 反向输出端A
6 INA 音频信号输入端A
8 N C N C 管脚
9 N C N C 管脚
10 电压基准端
11 INB 音频信号输入端B
12 O U T B - 反向输出端B
14 O U TB + 正向输出端B
16 耳机/立体模式选择
C S 8563S 管脚说明输入/输出功能
管脚说明
V D D
B Y P A S S
H P -IN
输入
输出
输出
输出
输出
地
输入
输入
输入
电源
输入
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1
SCS 8563S
S
S
描述
描述数值
数值
极限参数表1
参数
参数
单位
单位
℃/W
V
℃/W
℃
℃
JA
JC
封装热阻---芯片到环境热阻
电源电压
封装热阻---芯片到封装表面热阻
环境温度范围
20
80
-40~ 85
-40~ 150
1.
ESD 范围
ESD 范围HBM(人体静电模式) ±4kV
ESD 范围MM( 机器静电模式) -----------------------------------------------------------±400V
推荐工作环境
VDD
TA
结温范围
上述参数仅仅是器件工作的极限值，不建议器件的工作条件超过此极限值，否则会对器件的可靠性及寿命产生影
响，甚至造成永久性损坏。
p a ge3
Mar ,2013 R ev.1.0
-----------------------------------------------------------
Tj
热效应信息
订购信息
产品型号 器件标识 包装尺寸 卷带宽度 数量
CS8563S
封装形式
S O P 16L
　参数 描 述 数值 单位
VDD 无信号输入时供电电源
VI 输入电压-0.3 to VDD+ 0.3 V
TJ 结工作温度范围-40 to 150 ℃
T
T
SDR
STG
引脚温度（焊接15秒） 220
存储温度范围 -65 to 150 ℃
V
℃
2.7~ 6.5
C S 8563S
管装CS8563S
XXXX
6.8
S
S
电气参数
p a ge4
Mar ,2013 R ev.1.0
(VDD =5V, T A =25℃ , 除非特殊说明)
参数描述测试条件
C S 8563S
最小值典型值
单位
V D D 供电电源
2.5
6.5
最大值
V
V
ID D 静态电流V IN = 0V ,IO = 0A ,H P -IN = 0V 10 13 mA
ISD 关断电流S hutdow n管脚接地0.04 1 μA
V IH SD,HP管脚输入高电平
V IL SD,HP管脚输入低电平
4.0
0.9
V
V
C S 8563S
V IN = 0V ,IO = 0A ,H P -IN = 4V 7
桥接模式电气特性(VDD =5V, T A =25℃ , 除非特殊说明)
CS8563S
典型值 极限值 单位
V IN = 0V 5 5 0 m V (ma x)
3.20
TH D +N = 10 % ,f = 1 kH z ,R W L=4Ω,V DD =6 V 4.55
W
TH D +N= 1% ,f=1kH z,R L=32Ω,V DD =5 V 0.37 W
TH D +N 20 Hz f 20 kH z,A VD = 2
0.2
0.1 %
PS RR V DD = 5V ,V R IP PLE = 200 mV RM S ,R L = 8Ω,
C B = 1.0uF
67 dB
XTALK f = 1 kHz, CB = 1.0 μF 90 dB
SNR 信噪比VDD = 5V, PO = 1.1W, RL = 8Ω 98 dB
参数描述测试条件
输出失调电压
输出功率
总谐波失真
856 3S ,R L=4 Ω,PO=2W
856 3S ,R L=8 Ω,PO=1W
电源抑制比
通道隔离度
单端模式电气特性(VDD =5V, T A =25℃ , 除非特殊说明)
典型值 极限值 单位
Vo s V IN = 0V 5 5 0 m V (ma x)
TH D+ N= 0.5%,f=1 kHz ,RL =32Ω 85 mW (min)
340 mW
440 mW
TH D +N 20 Hz f 20 kH z,A VD = -1,P O =75m W ,RL=32Ω 0.02 %
PS RR VR IP PLE = 200 mV RM S ,R L = 8Ω, C B = 1.0uF 52 dB
XTALK f = 1 kHz, CB = 1.0 μF 60 dB
SNR 信噪比VDD = 5V, PO = 340mW, RL =8Ω 95 dB
参数描述测试条件
输出失调电压
输出功率
总谐波失真
电源抑制比
通道隔离度
TH D+ N= 1% ,f=1kHz ,RL =8Ω
TH D+ N= 10% ,f=1kHz ,RL =8Ω
75
V os
P o
P o
TH D +N = 10 % ,f= 1 kH z ,RL=4Ω,V DD =5 V
T W U 启动时间 V D D = 5.0V ,C bypass= 2.2μF 400 m s
TH D +N = 1 % ,f = 1 kH z ,R W L=4Ω,V DD =6 V 3.70
TH D +N = 1 % ,f= 1 kH z ,RL=4Ω,V DD =5 V 2.60 W
S
S
S
SCS8563S
典型特征曲线
pa g e 5
Mar ,2013 R ev.1.0
0.01
20
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10m 20m 50m 100m 200m 500m 1 2.3
Figure 3, TH D +N vs. O utput P owe r
6V, 8O hm , B TL at f=1 kH z
0.001
20
0.01
0.1
0.2
0.5
1
10
1m 2m 5m 10m 20m 50m 200m
Figure 5. TH D +N vs. O utput P ow er
S E m ode, 5V, 32O hm , f=1 kH z
0.01
20
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10m 20m 50m 100m 500m 1 2 4. 5
Figure 7. TH D +N vs. O utput P ow er
B TL m ode, 6V, 4O hm , f=1 kH z
0.01
20
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
1m 2m 5m 10m 20m 100m 500m 1
Figure 4. TH D +N vs. O utput P ow er
3V, 8O hm , B TL at f=1 kH z
0.01
20
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
1m 2m 3m 5m 7m 10m 20m 30m 60m
Figure 6. TH D +N vs. O utput P ow er
S E m ode, 3V, 32O hm , f=1 kH z
0.01
20
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
10m 20m 50m 100m 200m 500m 1 2
Figure 8. TH D +N vs. O utput P ow er
B TL m ode, 3V, 4O hm , f=1 kH z
S C S 8563S
典型特征曲线
pa g e 6
Mar ,2013 R ev.1.0
0.01
10
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 9. TH D +N vs. Frequency
B TL m ode, 6V, 8O hm , P o=800m W
0.001
10
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 11. TH D +N vs. Frequency
S E m ode, 6V, 32O hm , P o=70m W
0.01
10
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 13. TH D +N vs. Frequency
B TL m ode, 6V, 4O hm , P o=1 W
0.01
10
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 10. TH D +N vs. Frequency
B TL m ode, 3V, 8O hm , P o=300m W
0.001
10
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 12. TH D +N vs. Frequency
S E m ode, 3V, 32O hm , P o=20m W
0.01
10
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 14. TH D +N vs. Frequency
B TL m ode, 3V, 4O hm , P o=500m W
SC S 8563S
典型特征曲线
pag e 7
Mar ,2013 R ev.1.0
Figure 15. P S R R vs. Freq
B TL m ode, 6V, 8O hm , 200m V pp
Input term inated
Figure 17. P S R R vs. Freq
B TL m ode, 6V, 8O hm , 200m V pp
Input unterm inated
Figure 19. P S R R vs. Freq
S E m ode, 6V, 32O hm , 200m V pp
Input term inated
Figure 16. P S R R vs. Freq
B TL m ode, 3V, 8O hm , 200m V pp
Input term inated
Figure 18. P S R R vs. Freq
B TL m ode, 3V, 8O hm , 200m V pp
Input unterm inated
Figure 20. P S R R vs. Freq
S E m ode, 3V, 32O hm , 200m V pp
Input term inated
C S 8563S
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
S
典型特征曲线
pag e 8
Mar ,2013 R ev.1.0
Figure 21. P S R R vs. Freq
S E m ode, 6V, 32O hm , 200m V pp
Input unterm inated
-6
+3
-5
-4
-3
-2
-1
+0
+1
+2
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 23. Frequency R esponse
B TL m ode, 6V, 8O hm
-17.5
+2.5
-15
-12.5
-10
-7.5
-5
-2.5
+0
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 25. Frequency R esponse
S E m ode, 6V, 32 O hm ,C 5/C 6=220 uF
Figure 22. P S R R vs. Freq
S E m ode, 3V, 32O hm , 200m V pp
Input unterm inated
-6
+3
-5
-4
-3
-2
-1
+0
+1
+2
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 24. Frequency R esponse
B TL m ode, 3V, 8O hm
-17.5
+2.5
-15
-12.5
-10
-7.5
-5
-2.5
+0
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 26. Frequency R esponse
S E m ode, 3V, 32O hm ,C 5/C 6=220uF
C S 8563S
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
-100
-10
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
+0
dB
H Z
S
典型特征曲线
pag e 9
Mar ,2013 R ev.1.0
-120
+0
-100
-80
-60
-40
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 27. C rosstalk
B TL m ode, 6V, 8O hm , P o=1W
-100
+0
-80
-60
-40
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 29. C rosstalk
S E m ode, 6V, 32O hm , P o=80m W
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0 25 0 500 750 100 0 1250
O utput P ow er/m W
P ow er D issip ation
Figure 31. P ow er D issipation vs. O utput P ow er
B TL m ode, 5V, f=1 kH z, R L=8O h m ,TH D +N <=1%
-120
+0
-100
-80
-60
-40
-20
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 20k
Figure 28. C rosstalk
B TL m ode, 3V, 8O hm , P o=0.3W
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
O u tput P ow er/m W
P o w e r D issip a tio n
Figure 32. P ow er D issipation vs. O utput P ow er
S E m ode, 5V, f=1 kH z, R L=32O hm
A to B
A to B
B to A
B to A
B to A
A to B
20 40 60 80
C S 8563S
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
S upply V oltage/V
O utput P ow er/m W
1% TH D +N
10% TH D +N
Figure 30. O utput P ow er vs. P ow er S upply
B TL m ode, f=1 kH z, R L=8 O hm
2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
S
pa g e 10
Mar ,2013 R ev.1.0
应用信息
CS8563S基本结构描述
CS8563S
成两级四个运算放大器，构成双通道（A ,B 通道）立体音
频放大器,（以下为A 通道的论述，同时也适合于B 通道）
放大器A 1 的增益是外部配置结构决定的，闭环增益通过
配置Rf 和Ri来决定；而放大器A 2 的增益有内部电阻结构
决定，固定为－1，A 2 构成倒相放大器。驱动的负载连接
到两个放大器输出端之间。放大器A1 的输出作为放大器
A 2 的输入，这样导致两个放大器产生幅值相同，相位差
180°,利用相位不同，当负载连接于-O U T A 和+ O U T A 输
出端之间且为差动输出时（通常被称作“桥式模型”），
该IC 各通道的差动增益为:
是双端输出的立体声音频功率放大器，内部集
电源旁路
对于任何功率放大器，适当的电源旁路对于低噪声性能
和高电源抑制是非常关键的。典型运用中，使用一个6V
的调节器，这个调节器具有一个10μF 和一个1μF 的旁路
电容，有助于电源稳定，降低输入噪声和改善电源瞬态
响应。在电源和地间连接电容的导线及内部连线应尽可
能缩短。在管脚B Y P A S S 与地间连接一个1μF 的电容C B
可改善内部偏置电压的稳定性和提高放大器的抑制比
P S R R ，当C B 增大时P S R R 也随之提高，但C B 增加太大
则会影响放大器的降噪性能。
内部具有低电压检测电路，当电源电压下降到
1.8V 以下时将关闭输出，直到V D D ≥2.7V 时
器件再次开启回到正常状态。
内部具有短路保护功能，一旦检测到输出与输
出、输出与地或电源短路，芯片会立即关闭输出，避免
芯片受损，如果短路状态消除，器件将会重新开启。
欠压锁定(U V LO )
短路保护
A V D = 2×
Rf
Ri
(1)
桥式模型放大器的运行不同于单终端放大器结构，在单终
端结构中负载的一端接放大器的输出而另一端接地。桥式
放大器设计比单终端结构有一些明显的优点：当它给负载
提供差动驱动时，负载两端的电压为单终端情况下的两倍
。因此，在相同条件下，假定放大器没有电流限制或断路
，可获得的输出功率中，这种增加导致输出功率可能是单
终端放大器的4 倍。当选定一个的放大器闭环增益时，为
了不引起过分失真（过分失真将会损坏扬声器系统中的高
频率传感器），对电路的设计有一定的要求，请参考“音
频功率放大器设计”部分。放大器桥式构结优于单终端的
第二个优点是，由于A 通道和B 通道的差动输出均在半供
给中偏置，通过负载不存在净直流电压，这就消除了单电
源、单终端模式下存在的输出耦合电容。单电源 、单终
端放大器中，则需通过负载的半供给偏置来消除输出耦合
电容，这样便会导致内部IC 功耗的增加，以及扬声器永
久性损坏。
关断模式
为了节电， 在不使用放大器时， 可以关闭放大器，
有关断控制管脚，可以控制放大器是否工作。
该控制管脚的电平必须要接满足接口要求的控制信号，
否则芯片可能进入不定状态，而不能够进入关断模式，
其自功耗没有降低，达不到节电目的。
CS 8563S
过热保护
±
当芯片的温度超过150℃时，热保护电路将起作用，芯
片自动被关断。由于芯片制造工艺的差异，不同的芯片
之间最大有 15℃的偏差，当温度降低30℃后
继续正常工作。
(2πRinCin)
fc =
1
输入电容 (C i )
对于便携式设计，较大输入电容既昂贵又占用空间，因
此需要恰当的输入耦合电容，但在许多应用便携式扬声
器的例子中， 无论内部还是外部， 很少可以出现低于
100H z 至 150H z 的信号。因此使用一个大的输入电容
不会增加系统性能，输入电容（C i）和输入电阻（R i）
组成一个高通滤波器，截止频率为
除了系统损耗和尺寸，P O P 声受输入耦合电容 C i的影
响，较大的输入耦合电容需要更多的电荷才能到达它的
静态电压（1/2V D D ） 。这些电荷需要内部反馈电路提
供，因此，在保证低频性能的前提下，减小输入电容可
以减少启动P O P 声。
模拟基准旁路电容(C B Y P )
模拟基准旁路电容（C B Y P ）是最关键的电容，它与几个
重要性能相关，在从关闭模拟启动或复位时，C B Y P 决定
了放大器开启的速度。第二个功能是减少电源与输出驱
动信号耦合时制造的噪声，这些噪声来自于内 部模拟基
准或放大器等其它器件，会降低的 P S R R 和
T H D ＋N 性能。建议使用2.2μF的电容，使用更大的电容
可以减小噪声，提高P S R R ，但是会延长启动时间。
的反馈电阻 Rf＝ 300kΩ ，输入电阻R i为30
所以闭环增益是20dB 。
kΩ
有几种方法可以实现低功耗关断功能，包括用单极、单
掷开关进行切换，用微控制器或微处理器输出来控制关
断电路。如果开关的切换来实现， 则需在管脚
S H U T D O W N 与电源连上一个10 K Ω 的上拉电阻或管脚
S H U T D O W N 直接连到地。当管脚S H U T D O W N 接地时
放大器正常工作。当打开通过上拉电阻与电源连接的开
关时， 关断功能就启动。开关及上拉电阻确保管脚
S H U T D O W N 不会悬空，以免出现我们不希望的不定状
态。一些系统中用微控制器或微处理器输出信号给管脚
S H U T D O W N 来控制关断功能，代替用到上拉电阻的关
断电路。
S
S
S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
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Mar ,2013 R ev.1.0
H P S E N S E 功能
给H P S ense加上一个4V ～V D D 的电压可关断运算放大模
块A 2和A 4，使桥式连接的负载失效。当此IC 处于单端工
作模式时静态电流也会随之减小。
仔细考虑与B Y P A S S 管脚相连的电容C B 可使输入电容的
尺寸减到最小。因为C B 决定 静态工作点的稳定
性，所以当开启有爆裂的输入信号时它的值非常关键。
的输出倾斜到静态直流电压（V /2）越慢，则
开启的pop声越小。选取2.2uF 的C B 且C i 为小电容（0.1
uf 到0.39 uf 的范围） ， 则可得到一个“滴答声”和
“Pop声”都较小的关断功能。鉴于以上讨论，选取可满
足带宽需要的、不太大的C i 有助于使“滴答声”和
“Pop”减到最小。
D D
上图为耳机控制功能工作示意图，当没有耳机插头接入
插孔时，R 1-R 2 分压电阻使提供到H P S ense 管脚的电压
近似为50m V ，驱动A 3 和A 4 处于工作状态，使S 8563S
工作于桥式模式。输出耦合电容隔离半供给直流电压，
起到保护耳机的作用。输入H P S ense管脚的高电平为
4V 。当S8563S 工作于桥式模式时，实质上负载两端的
电压为0V 。因此甚至为理想状态下，难以引发放大器处
于单终端输出的工作模式。耳机接入耳机插孔使得耳机
插孔与-O U T A 分离并使R 1 上接H P S ense 管脚的电压至
V D D 。这样耳机关断功能把A 2 和A 4 给关断且桥式连接的
扬声器就不工作了，放大器便驱动输出耦合阻抗为R 2 和
R 3 的耳机，当耳机阻抗为典型值32Ω时，输出耦合阻抗
R 2、R 3 对 输出驱动能力的影响可忽略不计。
图34 也是耳机插孔的内部连接关系示意图，插孔为一组
三线插头的设计，尖端和环分别为立体双声道的一个信
号输出，然而最外端的环为地。当连接耳机时有一个控
制端连接的耳机插孔足以驱动H P S ense 管脚。一个微处
理器或开关可以代替耳机插孔中连接控制端的功能，微
处理器或开关向H P S ense提供4V ～V D D 的电压，这样连
接扬声器的桥式模式便停止工作且A 1 和A 2 分别驱动耳机
的左、右声道。
S H U T D O W N H P S E N S E 工作模式
表1S H U T D O W N 和H P S E N S E 操作的逻辑真值表
低
低
高
逻辑低
逻辑高
逻辑低/高
桥式放大
单端放大
关断
1kΩ 1kΩ
100uf
100 uf
HP CONTROL
300 kΩ 100kΩ
HP-IN 16
-OUT A 5
-OUT B 12
VDD
立体耳机工作电路示意图
B ypass电容的选取
C S 8563S
R 4 R 1
R 2 R 3
磁珠和电容
OUTP
OUTN
220P F
220P F
在没有磁珠和电容的情况下,对于60cm 的音频
线，仍可满足F C C 标准的要求。在输出音频线过长或器
件布局靠近E M I敏感设备时，建议使用磁珠，电容。磁
珠和电容要尽量靠近放置。
磁珠
磁珠
10nF
S
CS
SC
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
SCS8563S
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封装信息
Mar ,2013 R ev.1.0
C S 8563S
C S 8563S S O P 16L
Notes :
(1) 所有尺寸都为毫米
(2) 参考JEDEC MO-229标准
Min Max Min Max
A 1.350 1.750 0.053 0.069
A1 0.100 0.250 0.004 0.010
A2 1.350 1.550 0.053 0.061
b 0.330 0.510 0.013 0.020
c 0.170 0.250 0.007 0.010
D 9.800 10.200 0.386 0.402
E 3.800 4.000 0.150 0.157
E1 5.800 6.200 0.228 0.244
eL
0.400 1.270 0.016 0.050
θ ° 0 ° 8 ° 0 ° 8
Symbol
1.270(BSC) 0.050(BSC)
Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches
S
S
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Mar ,2013 R ev.1.0
注意!
静电敏感器件
操作ESD 产品
应采取防护措施
MOS电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止MOS电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
• 操作人员要通过防静电腕带接地。
• 设备外壳必须接地。
• 装配过程中使用的工具必须接地。
• 必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。
S C S 8563S